Power MOSFET (N-ch 150V<VDSS≤250V) The TK8A25DA is a power MOSFET manufactured by TOSHIBA. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.25Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 650pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The TK8A25DA is a high-voltage N-channel power MOSFET designed for switching applications. It offers low on-resistance, fast switching speeds, and high reliability, making it suitable for power supply circuits, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON))  
- Fast switching performance  
- High voltage capability (250V)  
- Low gate charge  
- Improved avalanche energy  
- TO-220AB package for easy mounting  

For detailed technical information, refer to the official TOSHIBA datasheet.