Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TK80S06K3L is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Here are its specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 110nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typ)  
- **Package:** TO-3P(N)  

### **Description:**  
The TK80S06K3L is a high-current, low-on-resistance N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is suitable for power supplies, motor control, and other high-power switching circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High-speed switching capability  
- High current handling capacity  
- Robust TO-3P(N) package for efficient heat dissipation  
- Suitable for high-power applications  

For detailed datasheet information, refer to Toshiba's official documentation.