Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The **TK80E06K3A** is a power MOSFET manufactured by **Toshiba**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-voltage switching applications** such as power supplies, inverters, and motor control.  
- Features **low on-resistance** for improved efficiency.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **TO-220AB package** for easy mounting and heat dissipation.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for reduced switching losses.  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt capability** for noise immunity.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

For exact performance characteristics, refer to Toshiba's official datasheet.