Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK7A50D is a transistor manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-speed switching, amplification  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -0.5A  
- **Total Power Dissipation (PT):** 0.5W  
- **Junction Temperature (Tj):** 125°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TK7A50D is a small-signal PNP transistor designed for high-speed switching and amplification applications.  
- It is housed in a **TO-92** package, making it suitable for compact circuit designs.  
- It features low saturation voltage and high current gain, making it efficient for switching purposes.  

### **Features:**  
- **High-Speed Switching:** Suitable for fast switching applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in switching circuits.  
- **High Current Gain (hFE):** Provides good amplification performance.  
- **Compact TO-92 Package:** Space-saving design for PCB integration.  

For exact performance characteristics, refer to Toshiba’s official datasheet.