Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK6Q60W is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Model:** TK6Q60W  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Technology:** N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** Higher than continuous rating (exact value depends on conditions)  
- **Power Dissipation (P_D):** Typically around 2W (exact value depends on thermal conditions)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** Low R_DS(on) for reduced conduction losses (exact value depends on V_GS)  
- **Package Type:** Typically surface-mount (e.g., SOP-8 or similar)  

### **Descriptions:**  
- The TK6Q60W is an N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and low power loss in circuits such as DC-DC converters, motor drivers, and power management systems.  
- Suitable for use in automotive, industrial, and consumer electronics applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency by minimizing conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **High Voltage Rating:** Supports up to 60V drain-source voltage.  
- **Compact Package:** Designed for space-constrained PCB layouts.  
- **Reliability:** Manufactured with Toshiba’s quality standards for stable operation.  

For exact datasheet details, refer to Toshiba’s official documentation.