Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK6P60W is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The TK6P60W is a low on-resistance, high-speed switching N-channel MOSFET designed for power management applications such as DC-DC converters, motor drivers, and load switches.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Avalanche energy specified for reliability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on Toshiba's datasheet for the TK6P60W.