TK6P53D

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK6P53D is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220SIS (Super Insulation Package)**  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching applications**.  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** for improved efficiency.  
- **Super Insulation Package (TO-220SIS)** ensures high isolation voltage.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** applications.  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness in inductive load switching.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to Toshiba's official documentation.

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)