Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK6A60W is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TK6A60W is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It is suitable for power supply circuits, motor control, and other high-voltage switching applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Voltage Rating:** Supports up to 600V drain-source voltage.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **TO-220F Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TK6A60W. For detailed application notes, refer to the manufacturer's documentation.