Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK6A60D is a semiconductor device manufactured by TOS (Toshiba). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage (Vces):** 600V  
- **Current (Ic):** 6A  
- **Power Dissipation (Pc):** 40W  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  
- **Gate-Emitter Voltage (VGE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 1.8V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching characteristics  

### **Descriptions:**  
- The TK6A60D is a high-speed switching IGBT designed for power control applications.  
- It features low saturation voltage and high-speed switching performance.  
- Suitable for inverters, motor control, and power supply circuits.  

### **Features:**  
- **Low VCE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Isolated Package (TO-220F):** Provides electrical isolation between the device and heatsink.  
- **High Voltage Rating:** 600V capability for robust power handling.  
- **Built-in Diode:** Includes a freewheeling diode for inductive load protection.  

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