Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The **Toshiba TK6A55DA** is a P-channel MOSFET with the following specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  

### **Descriptions:**  
- The **TK6A55DA** is a **P-channel power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications.  
- It is housed in a **TO-252 (DPAK)** package, which provides good thermal performance and compact size.  
- Suitable for **DC-DC converters, power management circuits, and motor control** applications.  

### **Features:**  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant**, meeting environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in **power supply circuits, battery protection, and load switching** due to its high performance and reliability.  

Would you like additional details on any specific parameter?