Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK6A50D is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.05Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The TK6A50D is a low on-resistance, high-speed switching N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for efficiency in DC-DC converters, motor control, and load switching circuits.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High-Speed Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on Toshiba's datasheet for the TK6A50D.