Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TK65S04K3L is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 65A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 260A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Suitable for automotive, industrial, and power management systems.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V)