Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The part **TK65E10N1** is manufactured by **Toshiba**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TK65E10N1  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module  
- **Voltage Rating:** Likely rated for high-voltage applications (exact voltage not specified in Ic-phoenix technical data files).  
- **Current Rating:** Designed for high-current switching (specific amperage not detailed).  
- **Package Type:** Module form factor, typically with screw terminals for power connections.  
- **Application:** Used in power electronics such as inverters, motor drives, and industrial power systems.  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Designed for low conduction and switching losses.  
- **Robust Construction:** Suitable for demanding industrial environments.  
- **Thermal Performance:** May include built-in thermal management features (e.g., baseplate cooling).  
- **Isolation:** Provides electrical isolation between control and power circuits.  

For exact voltage, current, and other detailed parameters, refer to Toshiba’s official datasheet or product documentation.

Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V)