Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The part **TK65A10N1** is manufactured by **Toshiba**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (Vces):** 1000V  
- **Current Rating (Ic):** 65A  
- **Package Type:** TO-3P(N)  
- **Configuration:** Single IGBT with diode  
- **Gate-Emitter Voltage (Vge):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (Vce(sat)):** Typically 2.1V (at specified conditions)  
- **Switching Speed:** Fast switching characteristics  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Suitable for inverters, motor control, and power supplies.  
- Includes a built-in freewheeling diode for improved efficiency in inductive load applications.  

### **Features:**  
- Low saturation voltage for reduced power loss.  
- High-speed switching capability.  
- Robust and reliable for industrial applications.  
- TO-3P(N) package ensures good thermal performance.  

For exact datasheet details, refer to Toshiba’s official documentation.