Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TK60S06K3L is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TK60S06K3L  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-220SIS (Small Outline)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 6.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min), 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes or reliability data, refer to Toshiba's official documentation.

Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V)