Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TK60P03M1 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -60A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.5mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power applications.  
- Built with Toshiba’s advanced process technology for reliability.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to Toshiba’s official datasheet.