Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK5Q60W is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min), 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance suitable for DC-DC converters, motor control, and power management.  
- Robust and reliable construction for industrial and automotive applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to Toshiba's official documentation.

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)