Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK5P60W is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.2Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TK5P60W is a P-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is housed in a TO-220SIS package, which provides good thermal performance.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other switching circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Lead-free and RoHS-compliant.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to Toshiba’s official datasheet.

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)