Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK5A60W is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Toshiba  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating:** 600V  
- **Current Rating:** 5A  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** Typically 1.8V (at IC = 5A, VGE = 15V)  
- **Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th)):** 4.0V (min) to 6.0V (max)  
- **Maximum Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Switching Characteristics:**  
  - Turn-on delay time (td(on)): 50ns (typical)  
  - Turn-off delay time (td(off)): 300ns (typical)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- Isolated TO-220F package for easy mounting on heat sinks.  
- Suitable for motor control, power supplies, and inverters.  
- Built-in fast recovery diode for improved performance in inductive load applications.  

This information is based solely on the available technical data for the TK5A60W IGBT from Toshiba.

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)