Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK5A60D is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating:** 600V  
- **Current Rating:** 5A  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 1.8V (typical) at IC = 5A  
- **Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th)):** 4.0V (typical)  
- **Maximum Junction Temperature (Tj):** 150°C  

### **Descriptions:**
- The TK5A60D is a high-speed switching IGBT designed for applications requiring low saturation voltage and high efficiency.  
- It is suitable for motor control, inverters, and power supply circuits.  
- The TO-220F package provides electrical isolation between the device and the heatsink.  

### **Features:**
- Low collector-emitter saturation voltage (VCE(sat))  
- Fast switching speed  
- Built-in fast recovery diode for freewheeling applications  
- Isolated package for easy heatsink mounting  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to Toshiba’s official datasheet.