Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The part **TK58E06N1** is a **Toshiba** N-channel power MOSFET. Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) – 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved performance in high-frequency circuits.  
- **Avalanche energy specified** for reliability in rugged environments.  
- **Low gate charge** for efficient drive circuitry.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** systems.  

This information is based on Toshiba’s datasheet for the TK58E06N1 MOSFET. For detailed application notes, refer to the official documentation.