Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The part **TK56E12N1** is manufactured by **Toshiba**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TK56E12N1  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module  
- **Voltage Rating:** 600V  
- **Current Rating:** 75A (collector current)  
- **Configuration:** Dual IGBT module (2 in 1)  
- **Package Type:** Module (with built-in freewheeling diodes)  
- **Switching Speed:** High-speed switching capability  
- **Thermal Resistance:** Low thermal resistance for efficient heat dissipation  

### **Descriptions:**  
- The **TK56E12N1** is a high-power IGBT module designed for industrial and power electronics applications.  
- It integrates two IGBTs with anti-parallel diodes in a single package, suitable for inverter and motor drive circuits.  
- Features low conduction and switching losses for improved efficiency.  

### **Features:**  
- **High Voltage & Current Handling:** Rated for 600V and 75A.  
- **Built-in Diodes:** Includes freewheeling diodes for protection.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances energy efficiency.  
- **High Reliability:** Robust construction for industrial environments.  
- **Isolated Baseplate:** Ensures electrical isolation for safety.  

For exact performance characteristics, refer to Toshiba’s official datasheet.