Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TK50S04K3L is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Model:** TK50S04K3L  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 200A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 4.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5200pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 1500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 300pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 20ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 55ns (typ)  
- **Package:** TO-220SIS  
### **Descriptions & Features:**  
- Low on-resistance for high-efficiency power switching.  
- Fast switching performance suitable for high-frequency applications.  
- Robust construction with a high current capability.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power applications.  
- Designed for high-reliability industrial and automotive applications.  
(Note: Always refer to the official Toshiba datasheet for the most accurate and detailed information.)