Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The part **TK50P04M1** is manufactured by **Toshiba**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.04Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching applications**.  
- Low **on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved performance in switching regulators and motor control.  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor drivers, and power management circuits**.  

For detailed datasheets, refer to Toshiba's official documentation.