Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TK50P03M1 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 3.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typ)  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-current, low-voltage switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for improved efficiency.  
- Fast switching performance suitable for power management applications.  
- Robust construction for reliable operation in demanding environments.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power supply circuits.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to Toshiba’s official datasheet.