Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK4P60DB is a power MOSFET manufactured by TK. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) - 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TK4P60DB is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-252 (DPAK) Package**  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional guidance or suggestions are included.

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK4P60DB is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The TK4P60DB is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High reliability and ruggedness  
- Suitable for surface-mount applications (TO-252 package)  
- RoHS compliant  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Toshiba datasheet.

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)