Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK4P60DA is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
  - 0.8Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) – 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 7ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 20ns (typ)  
- **Operating Temperature Range (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The TK4P60DA is a low on-resistance N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power switching circuits.

### **Features:**
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Compact and reliable package (TO-252)  
- Suitable for high-frequency switching applications  

This information is based solely on Toshiba's provided datasheet for the TK4P60DA.