Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK4P60D is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  

### **Descriptions:**
- The TK4P60D is a high-voltage MOSFET designed for switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance.  
- The isolated TO-220F package provides thermal and electrical isolation from the heatsink.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 600V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Isolated Package:** TO-220F allows direct mounting on a heatsink without insulation.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged conditions.  

This information is based solely on Toshiba's datasheet for the TK4P60D.