Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK4P55D is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) – 2.5V (max)  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions:**  
- The TK4P55D is designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- High-speed switching capability.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to Toshiba’s official datasheet.