Power MOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V) The TK4P50D is a P-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -50V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.15Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -3.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TK4P50D is a P-channel power MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance and high-speed switching performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON))  
- Fast switching speed  
- High power dissipation capability  
- Compact and efficient design  
- Suitable for DC-DC converters, power supplies, and motor control applications  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TK4P50D MOSFET.

Power MOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V)