Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK4A65DA is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TK4A65DA is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It is suitable for power supply circuits, inverters, and motor control systems due to its high breakdown voltage and low on-resistance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 650V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in harsh conditions.  
- **TO-220F Package:** Ensures good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.