TK4A60DB

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK4A60DB is a power transistor manufactured by Toshiba. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** Power switching, general-purpose amplification  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 4A  
- **Collector Dissipation (PC):** 40W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 2A, VCE = 2V)  
- **Transition Frequency (fT):** 3MHz (min)  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-speed switching and amplification applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- Epitaxial planar structure ensures reliability and performance.  
- Suitable for power supply circuits, motor control, and other high-current applications.  
- Comes in a TO-220 package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's specifications.

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)