Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK4A60DA is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Toshiba  
### **Part Number:** TK4A60DA  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typ)  

### **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Features:**  
- Low on-resistance  
- Fast switching speed  
- High voltage capability  
- Improved avalanche energy  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- Inverters  
- High-voltage circuits  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TK4A60DA.