Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK4A55DA is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 5.5mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
The TK4A55DA is a low on-resistance, high-speed switching N-channel MOSFET designed for power management applications. It is suitable for DC-DC converters, motor drivers, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High-speed switching performance  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed datasheet information, refer to Toshiba's official documentation.