Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The part **TK4A53D** is manufactured by **Toshiba**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TK4A53D  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 80W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) to 4.0V (max)  

### **Descriptions:**  
- The **TK4A53D** is an N-Channel MOSFET designed for high-power switching applications.  
- It is housed in a **TO-220AB** package, providing efficient thermal performance.  
- Suitable for power management in **DC-DC converters, motor control, and power supplies**.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for high-efficiency applications.  
- **High Current Handling** (30A continuous).  
- **Robust Thermal Performance** due to TO-220AB package.  
- **Avalanche Energy Rated** for improved reliability.  

This information is based solely on the available knowledge base for the **TK4A53D** by Toshiba.