Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK4A50D is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 6.0mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) – 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3900pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 45ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Package:** TO-220SIS (Fully Molded)  

### **Description:**  
The TK4A50D is a high-performance N-channel power MOSFET designed for switching applications requiring low on-resistance and high current handling. It is suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency power systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current capability (50A continuous, 200A pulsed)  
- Fully molded TO-220SIS package for improved thermal performance  
- Suitable for high-frequency switching applications  

This information is based solely on Toshiba's datasheet for the TK4A50D.