Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The part **TK46E08N1** is manufactured by **Toshiba**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TK46E08N1  
- **Type:** Power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)  
- **Technology:** N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS):** 60V  
- **Current Rating (ID):** 46A  
- **Power Dissipation (PD):** 100W  
- **Package Type:** TO-220 (Through-Hole)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** Typically low (exact value depends on conditions)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **TK46E08N1** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- The TO-220 package provides efficient heat dissipation and mechanical durability.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss and high efficiency.  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 46A continuous current.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Robust Construction:** Designed for reliability in demanding environments.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Ensures performance in extreme conditions.  

This information is based on Toshiba's datasheet and product documentation. For precise values and application details, consult the official datasheet.

Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V)