Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The part **TK45S06K3L** is manufactured by **Toshiba**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (Vces):** 600V  
- **Current Rating (Ic):** 45A  
- **Package Type:** TO-247  
- **Configuration:** Single IGBT with Diode  
- **Gate-Emitter Voltage (VGE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** Typically low (specific value depends on conditions)  
- **Switching Speed:** Fast switching characteristics  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications such as motor drives, inverters, and power supplies.  
- Features a built-in freewheeling diode for improved efficiency in inductive load applications.  
- Robust construction suitable for industrial and automotive applications.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Temperature Stability:** Reliable performance under varying thermal conditions.  
- **Built-in Diode:** Simplifies circuit design by integrating a freewheeling diode.  

For exact performance curves and detailed electrical characteristics, refer to Toshiba’s official datasheet.