Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The part **TK45P03M1** is manufactured by **Toshiba**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Drain Current (I_D):** -45A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved performance in switching circuits.  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-220SIS package** for efficient heat dissipation and mounting.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** systems.  

For detailed datasheet information, refer to Toshiba’s official documentation.