Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The part **TK42E12N1** is manufactured by **Toshiba**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TK42E12N1  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module  
- **Voltage Rating:** Likely rated for high-voltage applications (exact voltage not specified in Ic-phoenix technical data files)  
- **Current Rating:** Designed for high-current switching (specific amperage not detailed)  
- **Package Type:** Module form factor (exact dimensions not provided)  
- **Application:** Power electronics, motor drives, inverters, or industrial applications  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Optimized for low conduction and switching losses.  
- **Robust Design:** Suitable for demanding industrial environments.  
- **Integrated Structure:** May include built-in diodes or other components for circuit protection.  
- **Thermal Performance:** Designed with effective heat dissipation properties.  

(Note: Specific technical parameters such as voltage/current ratings, switching speed, or thermal resistance are not available in Ic-phoenix technical data files.)  

For exact datasheet details, refer to Toshiba's official documentation or authorized distributors.