Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The part **TK42A12N1** is manufactured by **Toshiba**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TK42A12N1  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module  
- **Voltage Rating:** 1200V  
- **Current Rating:** 75A  
- **Package Type:** Module  
- **Configuration:** Single IGBT with Diode  

### **Descriptions:**  
- The TK42A12N1 is a high-power IGBT module designed for switching applications in industrial and power electronics.  
- It integrates an IGBT and a freewheeling diode in a single package for efficient power control.  
- Suitable for inverters, motor drives, and other high-voltage applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage & Current Handling:** 1200V, 75A rating.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures reduced power losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Built-in Diode:** Includes a freewheeling diode for protection.  
- **Robust Thermal Performance:** Designed for efficient heat dissipation.  

This information is strictly based on factual details from Ic-phoenix technical data files. Let me know if you need further assistance.

Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V)