Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TK40P04M1 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for improved efficiency.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on Toshiba's datasheet for the TK40P04M1. For detailed application notes or reliability data, refer to the official manufacturer documentation.

Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V)