Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The part **TK40E10N1** is manufactured by **Toshiba**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS):** 100V  
- **Current Rating (ID):** 40A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Package:** TO-220AB  
- **RDS(ON) (Max):** 0.028Ω  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- A high-performance **N-Channel MOSFET** designed for power switching applications.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** circuits.  
- Features **low on-resistance** for efficient power handling.  

### **Features:**  
- **Low RDS(ON)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **High current capability** (40A continuous).  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-220AB package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on Toshiba's datasheet for the TK40E10N1. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V)