Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The part **TK40E10N1** is manufactured by **Toshiba**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS):** 100V  
- **Current Rating (ID):** 40A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Package:** TO-220AB  
- **RDS(ON) (Max):** 0.028Ω  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- A high-performance **N-Channel MOSFET** designed for power switching applications.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** circuits.  
- Features **low on-resistance** for efficient power handling.  

### **Features:**  
- **Low RDS(ON)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **High current capability** (40A continuous).  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-220AB package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on Toshiba's datasheet for the TK40E10N1. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.