Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TK40E06N1 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Package:** TO-220SIS (Single Island Structure)  

### **Description:**  
The TK40E06N1 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high-speed switching capabilities, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Improved thermal performance due to the TO-220SIS package  
- Suitable for high-efficiency power applications  

This information is based on Toshiba's datasheet for the TK40E06N1. For detailed application notes or reliability data, refer to the official documentation.