Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The TK40A10K3 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 100nC (typ)  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions:**  
- The TK40A10K3 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high-speed switching capabilities.  
- Suitable for power management in industrial, automotive, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High-Speed Switching:** Improves efficiency in switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability under high-energy conditions.  
- **Low Gate Drive Requirement:** Compatible with standard logic-level drive circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TK40A10K3.