Power MOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V) The TK3P50D is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TK3P50D is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency circuits.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving power requirements.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load applications.  
- **TO-220F Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based on Toshiba's datasheet for the TK3P50D MOSFET.