Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK3A65DA is a power MOSFET manufactured by TOSHIBA. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 3.5Ω (Max) @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 85pF (Typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 12pF (Typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 3.5pF (Typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (Typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (Typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Fast switching speed for high-frequency applications.  
- Suitable for power supplies, inverters, and motor control circuits.  
- TO-220F package for efficient heat dissipation.  
- RoHS compliant.  

For detailed application notes or additional technical data, refer to the official TOSHIBA datasheet.