Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The part **TK3A65D** is manufactured by **Toshiba**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (Vces):** 600V  
- **Current Rating (Ic):** 15A  
- **Power Dissipation (Pc):** 65W  
- **Package:** TO-220AB  
- **Gate-Emitter Voltage (VGE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 1.8V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching characteristics  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Suitable for motor control, inverters, and power supplies.  
- Low conduction and switching losses.  

### **Features:**  
- **Low VCE(sat):** Reduces power loss.  
- **High-speed switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Built-in fast recovery diode:** Enhances performance in inductive load applications.  
- **High ruggedness:** Ensures reliability under harsh conditions.  

This information is based on Toshiba's official documentation for the **TK3A65D** IGBT.

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)