Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK39A60W is a power module manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Model:** TK39A60W  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Power Module  
- **Voltage Rating (VCES):** 600V  
- **Current Rating (IC):** 39A  
- **Configuration:** Single IGBT with diode  
- **Package Type:** Module  
- **Mounting Style:** Through Hole or Chassis Mount (specific mounting details may vary)  
### **Descriptions:**  
- The TK39A60W is a high-power switching module designed for industrial and power electronics applications.  
- It integrates an IGBT and a freewheeling diode in a single package, providing efficient switching performance.  
- Suitable for motor drives, inverters, and power conversion systems.  
### **Features:**  
- **High Voltage & Current Handling:** Supports 600V and 39A operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency by reducing power loss.  
- **Built-in Diode:** Includes an anti-parallel diode for freewheeling current protection.  
- **Robust Construction:** Designed for reliability in demanding environments.  
- **Thermal Performance:** Optimized for heat dissipation in power applications.  
For exact electrical characteristics, thermal data, and application notes, refer to Toshiba’s official datasheet.