Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The TK35E08N1 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 35A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 140A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.008Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 550pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The TK35E08N1 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Suitable for high-frequency applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on Toshiba's datasheet for the TK35E08N1.